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[00019051]一种片上LC无源低通滤波器及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 微电子

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 技术转让

联系人: 齐晴

进入空间

所在地:上海崇明

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

技术投资分析:   该滤波器含片上微电感、片上MIM电容、片上共面波导传输线和复合衬底,复合衬底由氧化多孔硅薄膜、多孔硅层和低阻硅片组成,多孔硅层夹在氧化多孔硅薄膜和低阻硅片之间,由片上微电感、片上MIM电容和片上共面波导传输线组成的片上LC无源低通滤波电路依附在氧化多孔硅薄膜上,用与CMOS工艺兼容的工艺制作而成,有体积小,易于制造,生产成本低,能与现今的CMOS工艺相兼容,在通带内衬底插入损耗小的优点。 技术的应用领域前景分析:   一种基于氧化多孔硅/多孔硅的片上LC无源低通滤波器及其制备方法。 效益分析: 随着应用范围的扩大,效用辐射面扩大,必定产生良好经济效益。 厂房条件建议: 无 备注: 无
技术投资分析:   该滤波器含片上微电感、片上MIM电容、片上共面波导传输线和复合衬底,复合衬底由氧化多孔硅薄膜、多孔硅层和低阻硅片组成,多孔硅层夹在氧化多孔硅薄膜和低阻硅片之间,由片上微电感、片上MIM电容和片上共面波导传输线组成的片上LC无源低通滤波电路依附在氧化多孔硅薄膜上,用与CMOS工艺兼容的工艺制作而成,有体积小,易于制造,生产成本低,能与现今的CMOS工艺相兼容,在通带内衬底插入损耗小的优点。 技术的应用领域前景分析:   一种基于氧化多孔硅/多孔硅的片上LC无源低通滤波器及其制备方法。 效益分析: 随着应用范围的扩大,效用辐射面扩大,必定产生良好经济效益。 厂房条件建议: 无 备注: 无

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