技术详细介绍
本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器（专利号201220068991.3），该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现锁存器的功能,并通过级联两个锁存器实现D触发器功能。与传统的D触发器相比，本实用新型采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOSD边沿触发器极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。
本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器（专利号201220068991.3），该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现锁存器的功能,并通过级联两个锁存器实现D触发器功能。与传统的D触发器相比，本实用新型采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOSD边沿触发器极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。