技术详细介绍
项目简介：
新一代照明技术的核心发光二极管（LED，light emitting diode）有着极大的应用前景。不仅在于可以节约能源、减少污染、还具有体积小、寿命长、控制灵活方便等优点。目前，限制LED性能提高的主要原因是光提效率不高，导致亮度不高，发热严重，严重影响了以LED芯片为核心的半导体照明的普及。LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。目前，限制LED性能提高的主要原因是取光效率不高，导致亮度不高，发热严重，严重影响了以LED芯片为核心的半导体照明的普及。这些年来，随着半导体照明的不断深入发展，LED以其高电光转换效率和绿色环保的优势受到越来越广泛的关注。半导体照明产品中的核心组成部分LED芯片，其研究与生产技术有了飞速的发展，芯片亮度和可靠性不断提高。在LED芯片的研发和生产过程中，器件外量子效率的提高一直是核心内容，因此，取光效率的提高显得至关重要。
项目核心创新点：
本发明的目的在于提供一种六角形粗化表面的LED外延片的制备方法，以降低操作的复杂度以及理想的粗化效果，同时不会影响LED的光电性能。
为了达到上述目的及其他目的，本发明提供的这种六角形粗化表面的LED外延片的制备方法具有业界领先的核心技术和工艺，优化性能提升效率和亮度。
项目详细用途：
用于GaN、GaAs和GaP基LED表面粗化的制备方法主要有两种类型：一是对LED表面进行外延后即芯片部分的处理，现有方法主要为：光辅助电化学腐蚀法、强酸和强碱溶液湿法腐蚀法和干法刻蚀等。此类工艺较为复杂，成本较高；二是原位直接生长表面粗化的P型GaN层，一般是采用在生长P型GaN时进行降温处理形成P型GaN表面粗化，然而由于现有P型GaN一般有掺杂镁原子，这会增加粗化的难度，同时由于低温进行粗化会导致电学性质的破坏例如电压会急剧升高，因此降温所形成的P型GaN层粗化表面效果并不理想。
因此，提供一种简单且P型GaN层表面粗化更为明显而且不影响电学性质的粗化表面方法
预期效益说明：可帮助LED生产企业获得大幅度的效率和亮度的提高，帮助企业增加1000万以上的利润。