[00222596]一种抑制绝缘材料内部空间电荷的聚乙烯复合材料及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
高分子材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510768328.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
重庆大学
进入空间
所在地：重庆重庆市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种抑制绝缘材料内部空间电荷的聚乙烯复合材料及其制备方法，所述复合材料为添加ZnO和SiO2纳米粒子的低密度聚乙烯，所述ZnO和SiO2纳米粒子总添加量为3～5wt％，ZnO和SiO2纳米粒子之间的质量比为1:1。本发明研究发现ZnO和SiO2纳米粒子质量比为1:1，总的添加量为3wt％时，获得的聚乙烯复合材料在极化场强为50kV/mm时内部平均体电荷密度最低，为0.472C/m3，大大低于现有技术中各项实验的研究结果，说明质量比为1:1的ZnO和SiO2纳米粒子能够有效的改善聚乙烯材料内部的空间电荷分布，削弱电场的畸变。
摘要：本发明公开了一种抑制绝缘材料内部空间电荷的聚乙烯复合材料及其制备方法，所述复合材料为添加ZnO和SiO2纳米粒子的低密度聚乙烯，所述ZnO和SiO2纳米粒子总添加量为3～5wt％，ZnO和SiO2纳米粒子之间的质量比为1:1。本发明研究发现ZnO和SiO2纳米粒子质量比为1:1，总的添加量为3wt％时，获得的聚乙烯复合材料在极化场强为50kV/mm时内部平均体电荷密度最低，为0.472C/m3，大大低于现有技术中各项实验的研究结果，说明质量比为1:1的ZnO和SiO2纳米粒子能够有效的改善聚乙烯材料内部的空间电荷分布，削弱电场的畸变。
