[00241662]一种低温去除硅中硼磷的方法
交易价格：
面议
所属行业：
无机非金属材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201010620791.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院过程工程研究所
进入空间
所在地：北京北京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：一种低温去除硅中硼磷的方法，属于高纯硅的生产技术领域，是硅在锡基合金液中的重结晶净化。该方法将工业硅经过破碎酸洗预处理，与锡基合金加热完全共熔，冷却使硅重新结晶析出，结晶硅快速铸块，破碎酸洗可得硼、磷浓度低的高纯硅。该方法重结晶温度为300～1400℃，硅损失量小于5％。与目前冶金法净化硅相比，可实现硼、磷杂质同步快速去除，操作温度降低600～1700℃。
摘要：一种低温去除硅中硼磷的方法，属于高纯硅的生产技术领域，是硅在锡基合金液中的重结晶净化。该方法将工业硅经过破碎酸洗预处理，与锡基合金加热完全共熔，冷却使硅重新结晶析出，结晶硅快速铸块，破碎酸洗可得硼、磷浓度低的高纯硅。该方法重结晶温度为300～1400℃，硅损失量小于5％。与目前冶金法净化硅相比，可实现硼、磷杂质同步快速去除，操作温度降低600～1700℃。
