[00242269]一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710404219.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院海西研究院
进入空间
所在地：福建福州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16。本申请的晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别为AgGaS2的0.5倍和5倍。
摘要：本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16。本申请的晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别为AgGaS2的0.5倍和5倍。
