[00246299]一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201711141217.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本[发明专利]公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，通过在氧化物半导体层的上方沉积金属纳米粒子层，然后在其上制备自组装分子层，相比原有的氧化物薄膜晶体管器件结构多了一层金属纳米粒子层和自组装分子层，该自组装分子层能在不损伤氧化物半导体层的前提下有效修饰氧化物表面以降低氧化物半导体层的表面能，减少水、氧吸附和解吸附现象，从而提高器件的稳定性。同时，氧化物半导体之上的金属纳米粒子层能提高氧化物半导体的载流子的迁移率，有利于提高器件迁移率。此外，金属纳米粒子层和自组装分子层还能提高氧化物半导体层的抗蚀性，减少后续镀膜或刻蚀对其造成的损伤，可以不必另外制备保护层，简化了制备工艺，降低了制备成本。
本[发明专利]公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，通过在氧化物半导体层的上方沉积金属纳米粒子层，然后在其上制备自组装分子层，相比原有的氧化物薄膜晶体管器件结构多了一层金属纳米粒子层和自组装分子层，该自组装分子层能在不损伤氧化物半导体层的前提下有效修饰氧化物表面以降低氧化物半导体层的表面能，减少水、氧吸附和解吸附现象，从而提高器件的稳定性。同时，氧化物半导体之上的金属纳米粒子层能提高氧化物半导体的载流子的迁移率，有利于提高器件迁移率。此外，金属纳米粒子层和自组装分子层还能提高氧化物半导体层的抗蚀性，减少后续镀膜或刻蚀对其造成的损伤，可以不必另外制备保护层，简化了制备工艺，降低了制备成本。
