[00251786]一种高纯多晶硅溅射靶材及其制备方法和应用
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201810134015.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及溅射镀膜领域，具体涉及一种高纯多晶硅溅射靶材及其制备方法和应用。包括以下步骤：(1)装入硅料；(2)熔化阶段；(3)长晶过程；(4)减小热应力；(6)降温阶段。本发明选用多晶硅铸锭/提纯过程中产生的尾料作为原料，通过电子束熔炼耦合定向凝固将纯度较低的多晶硅原料提纯获得高纯多晶硅料，通过向硅中添加铝硼合金控制硅靶材的电阻率，通过籽晶诱导定向凝固工艺保证晶粒取向和均匀性，通过凝固工艺调整抑制晶体缺陷的形成。该方法制得的产品出成率能够达到80％左右，且具有成本低、纯度高、结晶取向一致、晶体缺陷少、电阻率可控的优点。
本发明涉及溅射镀膜领域，具体涉及一种高纯多晶硅溅射靶材及其制备方法和应用。包括以下步骤：(1)装入硅料；(2)熔化阶段；(3)长晶过程；(4)减小热应力；(6)降温阶段。本发明选用多晶硅铸锭/提纯过程中产生的尾料作为原料，通过电子束熔炼耦合定向凝固将纯度较低的多晶硅原料提纯获得高纯多晶硅料，通过向硅中添加铝硼合金控制硅靶材的电阻率，通过籽晶诱导定向凝固工艺保证晶粒取向和均匀性，通过凝固工艺调整抑制晶体缺陷的形成。该方法制得的产品出成率能够达到80％左右，且具有成本低、纯度高、结晶取向一致、晶体缺陷少、电阻率可控的优点。
