[00252035]一种碳化硅非晶纳米线拉断后的自愈合方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他新材料技术
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201711094048.3
交易方式:
技术转让
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联系人:
科小易
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所在地:福建厦门市
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-
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对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供了一种碳化硅非晶纳米线拉断后的自愈合方法,羊毫毛笔的一根羊毫在光学显微镜下移动和转移单晶纳米线,在透射电镜的原位纳米力学测试系统上,用电子束照射单晶纳米线的局部进行非晶化转变,转变后的单晶中的非晶长度为60‑100nm。在透射电镜中对转变后的单晶中的非晶纳米线进行断裂强度测试,非晶纳米线的断裂强度为9‑11GPa。非晶纳米线拉断后,卸载使得断裂的端面轻轻接触,在透射电镜真空腔中等待16‑25min进行纳米线的自愈合。透射电镜原位表征发现愈合的断口处发生了原子扩散,在非晶中发现了重结晶。本发明提供一种碳化硅非晶纳米线拉断后无需外部介入实现自愈合的方法。
本发明提供了一种碳化硅非晶纳米线拉断后的自愈合方法,羊毫毛笔的一根羊毫在光学显微镜下移动和转移单晶纳米线,在透射电镜的原位纳米力学测试系统上,用电子束照射单晶纳米线的局部进行非晶化转变,转变后的单晶中的非晶长度为60‑100nm。在透射电镜中对转变后的单晶中的非晶纳米线进行断裂强度测试,非晶纳米线的断裂强度为9‑11GPa。非晶纳米线拉断后,卸载使得断裂的端面轻轻接触,在透射电镜真空腔中等待16‑25min进行纳米线的自愈合。透射电镜原位表征发现愈合的断口处发生了原子扩散,在非晶中发现了重结晶。本发明提供一种碳化硅非晶纳米线拉断后无需外部介入实现自愈合的方法。