[00252103]金属基底上制备微射频T形功分器的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他机械
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710285069.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
金属基底上制备微射频T形功分器的方法，属于微制造技术领域。采用UV‑LIGA工艺在铜基底上利用SU‑8负性光刻胶制作出支撑内导体的胶柱，再利用AZ50XT正性光刻胶制作出图形胶膜，通过电铸铜工艺得到金属边框、内导体和顶盖等结构。最后利用丙酮溶解AZ50XT胶膜得到T形功分器。本发明摒弃了传统的硅基底而改用金属基底，避免了在制作过程中硅基底易碎的问题，并且不需要在基底上溅射金属导电层，缩减了工艺步骤。同时，AZ50XT胶膜在去除时无需加热，不会在结构内部产生热应力，从而降低了制作失败的几率。
金属基底上制备微射频T形功分器的方法，属于微制造技术领域。采用UV‑LIGA工艺在铜基底上利用SU‑8负性光刻胶制作出支撑内导体的胶柱，再利用AZ50XT正性光刻胶制作出图形胶膜，通过电铸铜工艺得到金属边框、内导体和顶盖等结构。最后利用丙酮溶解AZ50XT胶膜得到T形功分器。本发明摒弃了传统的硅基底而改用金属基底，避免了在制作过程中硅基底易碎的问题，并且不需要在基底上溅射金属导电层，缩减了工艺步骤。同时，AZ50XT胶膜在去除时无需加热，不会在结构内部产生热应力，从而降低了制作失败的几率。
