[00252386]一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710760451.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料及其制备方法，其属于有机合成技术领域。该材料为具有大共轭且空间扭曲的新型三苯二噁嗪酰亚胺衍生物。它采用在单溴或双溴三苯二噁嗪酰亚胺的6位和14位上引入较大共轭平面的芳香结构，分别与单硼酸芳香烃或单频哪醇硼酸酯芳香烃或单三丁基锡芳香烃，通过C‑C偶联的方法合成得到。新型三苯二噁嗪酰亚胺半导体材料在常用有机溶剂中具有优良的溶解度，在可见光区域具有强吸收，较高的摩尔消光系数，还具有良好的氧化还原特性和电子传输性能，可以应用于有机光电领域。
一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料及其制备方法，其属于有机合成技术领域。该材料为具有大共轭且空间扭曲的新型三苯二噁嗪酰亚胺衍生物。它采用在单溴或双溴三苯二噁嗪酰亚胺的6位和14位上引入较大共轭平面的芳香结构，分别与单硼酸芳香烃或单频哪醇硼酸酯芳香烃或单三丁基锡芳香烃，通过C‑C偶联的方法合成得到。新型三苯二噁嗪酰亚胺半导体材料在常用有机溶剂中具有优良的溶解度，在可见光区域具有强吸收，较高的摩尔消光系数，还具有良好的氧化还原特性和电子传输性能，可以应用于有机光电领域。
