[00262391]一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
无机非金属材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510459467.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
武汉科技大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法。其技术方案是将90～99wt％的单质硅粉和1～10wt％的铬粉混合均匀，在压力为20～60MPa条件下压制成型；再将成型后的坯体置入管式电阻炉内，在氮气气氛中以2～10℃/min的速率升温至1200～1400℃，保温2～8小时，即得一维氮化硅纳米粉体。其中所述单质硅粉中的Si含量≥95wt％，粒径≤88μm；所述铬粉中的Cr含量≥95wt％，粒径≤10μm。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、产物形貌易于控制和产率高的特点；所制备的一维氮化硅纳米粉体呈晶须状、直径分布均匀和长径比大。
摘要：本发明涉及一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法。其技术方案是将90～99wt％的单质硅粉和1～10wt％的铬粉混合均匀，在压力为20～60MPa条件下压制成型；再将成型后的坯体置入管式电阻炉内，在氮气气氛中以2～10℃/min的速率升温至1200～1400℃，保温2～8小时，即得一维氮化硅纳米粉体。其中所述单质硅粉中的Si含量≥95wt％，粒径≤88μm；所述铬粉中的Cr含量≥95wt％，粒径≤10μm。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、产物形貌易于控制和产率高的特点；所制备的一维氮化硅纳米粉体呈晶须状、直径分布均匀和长径比大。
