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[00265996]固相反应法制备层错结构硫族化合物热电材料的方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610743431.6

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 四川大学

进入空间

所在地:四川成都市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明属于材料领域,涉及一种固相反应法制备层错结构硫族化合物热电材料的方法,按质量比1:0.04:1.96:5的比例分别称取Sn粉、Cu粉或者Co粉、Ti粉、S粉末,然后研磨混合,用3~5MPa的压力压制成片后放入石英管内抽真空封管,然后烧结,再进行两轮的研磨、抽空、烧结,得到层错结构硫族化合物。本发明提供的固相反应法制备misfit层错结构硫族化合物的方法,可用于misfit体系层错结构硫族化合物热电材料的制备,工艺操作简单,可重复性高。该方法通过调节升温速率、成相温度、保温时间、烧结次数等工艺参数控制misfit化合物的成相度、致密度、层错结构,可控性强;所制得的misfit层状化合物成相度高、杂质少、致密度高、热导率低以及热电优值高等特性。
本发明属于材料领域,涉及一种固相反应法制备层错结构硫族化合物热电材料的方法,按质量比1:0.04:1.96:5的比例分别称取Sn粉、Cu粉或者Co粉、Ti粉、S粉末,然后研磨混合,用3~5MPa的压力压制成片后放入石英管内抽真空封管,然后烧结,再进行两轮的研磨、抽空、烧结,得到层错结构硫族化合物。本发明提供的固相反应法制备misfit层错结构硫族化合物的方法,可用于misfit体系层错结构硫族化合物热电材料的制备,工艺操作简单,可重复性高。该方法通过调节升温速率、成相温度、保温时间、烧结次数等工艺参数控制misfit化合物的成相度、致密度、层错结构,可控性强;所制得的misfit层状化合物成相度高、杂质少、致密度高、热导率低以及热电优值高等特性。

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