[00269065]暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410282977.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
陕西师范大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，采用简单的回流法，制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片，CdS纳米片对角线尺寸为5～50nm、厚度为0.59～10nm。本发明操作简单，成本低，重复性好，所制备的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片有望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
摘要：本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，采用简单的回流法，制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片，CdS纳米片对角线尺寸为5～50nm、厚度为0.59～10nm。本发明操作简单，成本低，重复性好，所制备的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片有望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
