[00273479]一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310403361.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法，属于纳米材料合成领域。该方法以CdTe量子点为原料，3-巯基丙酸作为稳定剂和硫源，以水为溶剂，将镉盐与3-巯基丙酸按一定比例制成溶液，微波加热反应，通过控制反应条件，即可得到具有不同CdS壳层厚度的CdTe/CdS核-壳型量子点。该方法反应条件温和，操作简便，反应时间短，可生长厚度可控的CdS壳层，制备所得核-壳量子点的发光波长范围连续可调，光稳定性强。
一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法，属于纳米材料合成领域。该方法以CdTe量子点为原料，3-巯基丙酸作为稳定剂和硫源，以水为溶剂，将镉盐与3-巯基丙酸按一定比例制成溶液，微波加热反应，通过控制反应条件，即可得到具有不同CdS壳层厚度的CdTe/CdS核-壳型量子点。该方法反应条件温和，操作简便，反应时间短，可生长厚度可控的CdS壳层，制备所得核-壳量子点的发光波长范围连续可调，光稳定性强。
