[00273641]一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410512418.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
