[00276041]在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510158938.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400℃–500℃，采用二甲基锌和叔丁醇分别作锌源和氧源，高纯氮气作载气和稀释气，DMZn和t-BuOH的流速分别为10-40SCCM和100-400SCCM，生长过程中，反应腔压力为15–30kPa；生长时间决定膜的厚度，一般生长时间为15–60min；4)对生长的ZnO薄膜进行适当的原位热处理。
在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400℃–500℃，采用二甲基锌和叔丁醇分别作锌源和氧源，高纯氮气作载气和稀释气，DMZn和t-BuOH的流速分别为10-40SCCM和100-400SCCM，生长过程中，反应腔压力为15–30kPa；生长时间决定膜的厚度，一般生长时间为15–60min；4)对生长的ZnO薄膜进行适当的原位热处理。
