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[00276042]同步生长晶圆级AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610396031.2

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 南京大学

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所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备:采用固态或液态碳氢化合物为碳源,控制挥发量,通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面,利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳源:固态烃类化合物或烃类的衍生物;通过对固体碳源加热,控制碳源挥发量;或碳氢化合物采用液体碳源:液态烃类化合物或烃类衍生物;通过通入惰性气体量的大小,控制液体碳源的挥发量。本发明实现了双层石墨稀的同步生长,得到了高质量晶圆级AB堆垛的双层石墨烯,AB堆垛的双层石墨稀覆盖率可达100%,单晶场效应载流子迁移率高达5300
AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备:采用固态或液态碳氢化合物为碳源,控制挥发量,通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面,利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳源:固态烃类化合物或烃类的衍生物;通过对固体碳源加热,控制碳源挥发量;或碳氢化合物采用液体碳源:液态烃类化合物或烃类衍生物;通过通入惰性气体量的大小,控制液体碳源的挥发量。本发明实现了双层石墨稀的同步生长,得到了高质量晶圆级AB堆垛的双层石墨烯,AB堆垛的双层石墨稀覆盖率可达100%,单晶场效应载流子迁移率高达5300

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