[00276047]一种Fe3N材料的生长方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201010128576.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种Fe3N材料的生长方法，在MOCVD系统中生长，包括以下步骤：1)对蓝宝石衬底进行表面氮化；2)通入载气N2、氨气以及有机镓源，在衬底上合成生长低温GaN缓冲层；3)将温度升高，生长GaN支撑层；4)通入二茂铁FeCp2做Fe源，在GaN支撑层上生长Fe3N材料；得到Fe3N颗粒薄膜材料和Fe3N单晶薄膜材料。本发明实现了高质量Fe3N薄膜材料生长，针对材料生长困难的问题，通过在MOCVD系统中，对有机镓源和铁源的流量，生长温度、时间，氨气流量，N与Ga之摩尔比等条件的控制和调整，解决了这一问题。本发明方法简单，生长过程可控，在生长方法以及生长工艺的过程控制都具有一定的先进性。
一种Fe3N材料的生长方法，在MOCVD系统中生长，包括以下步骤：1)对蓝宝石衬底进行表面氮化；2)通入载气N2、氨气以及有机镓源，在衬底上合成生长低温GaN缓冲层；3)将温度升高，生长GaN支撑层；4)通入二茂铁FeCp2做Fe源，在GaN支撑层上生长Fe3N材料；得到Fe3N颗粒薄膜材料和Fe3N单晶薄膜材料。本发明实现了高质量Fe3N薄膜材料生长，针对材料生长困难的问题，通过在MOCVD系统中，对有机镓源和铁源的流量，生长温度、时间，氨气流量，N与Ga之摩尔比等条件的控制和调整，解决了这一问题。本发明方法简单，生长过程可控，在生长方法以及生长工艺的过程控制都具有一定的先进性。
