[00276770]一种微/纳分级结构插片八面体Zn2SnO4的制备方法、产品及其应用
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110134756.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
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所在地：江苏南京市
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本发明涉及一种微/纳分级结构插片八面体Zn2SnO4的制备方法，包括以下步骤：首先，在L-色氨酸存在的条件下，四氯化锡化合物、醋酸锌化合物和碱金属氢氧化物在水中进行反应，并分散均匀；然后，在高压釜中反应，控制反应温度为170～200℃；最后，将反应产物分离、干燥，得到微/纳分级结构插片八面体Zn2SnO4。其中，四氯化锡化合物∶醋酸锌化合物∶碱金属氢氧化物的摩尔比为1∶(2～3)∶(8～12)，L-色氨酸∶四氯化锡化合物的摩尔比为5～10∶3。本发明还涉及由该方法制得的微/纳分级结构插片八面体Zn2SnO4及其在染料敏化太阳能电池电极中和在光催化还原CO2中的应用。
本发明涉及一种微/纳分级结构插片八面体Zn2SnO4的制备方法，包括以下步骤：首先，在L-色氨酸存在的条件下，四氯化锡化合物、醋酸锌化合物和碱金属氢氧化物在水中进行反应，并分散均匀；然后，在高压釜中反应，控制反应温度为170～200℃；最后，将反应产物分离、干燥，得到微/纳分级结构插片八面体Zn2SnO4。其中，四氯化锡化合物∶醋酸锌化合物∶碱金属氢氧化物的摩尔比为1∶(2～3)∶(8～12)，L-色氨酸∶四氯化锡化合物的摩尔比为5～10∶3。本发明还涉及由该方法制得的微/纳分级结构插片八面体Zn2SnO4及其在染料敏化太阳能电池电极中和在光催化还原CO2中的应用。
