[00278346]一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610902997.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南昌航空大学
进入空间
所在地：江西南昌市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池，其特征在于：稀土掺杂TiO2可有效调控其能级结构。n‑型半导体材料是杂化太阳电池体异质结的核心部分，它不仅是p‑型半导体材料的支撑或吸附载体，而且也是电子的传输载体。TiO2纳米晶作为n‑型半导体，具有高介电常数、长激发态寿命、高能态密度、低电子‑空穴复合率等诸多优点，使其成为理想的电子受体材料。目前所使用的p‑型有机聚合物半导体材料与n‑型半导体TiO2之间存在能级匹配不佳的问题，导致p‑型有机材料中的光生子注入n‑型半导体CB的效率降低，因而掺杂TiO2具有广泛的运用价值，适用于商业化生产。
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池，其特征在于：稀土掺杂TiO2可有效调控其能级结构。n‑型半导体材料是杂化太阳电池体异质结的核心部分，它不仅是p‑型半导体材料的支撑或吸附载体，而且也是电子的传输载体。TiO2纳米晶作为n‑型半导体，具有高介电常数、长激发态寿命、高能态密度、低电子‑空穴复合率等诸多优点，使其成为理想的电子受体材料。目前所使用的p‑型有机聚合物半导体材料与n‑型半导体TiO2之间存在能级匹配不佳的问题，导致p‑型有机材料中的光生子注入n‑型半导体CB的效率降低，因而掺杂TiO2具有广泛的运用价值，适用于商业化生产。
