[00279544]一种砷化铟薄膜材料的制备方法及装置
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710001932.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
昆明理工大学
进入空间
所在地：云南昆明市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开一种砷化铟薄膜材料的制备方法及装置，属于半导体制造技术领域。本发明所述方法为超声清洗单面抛光的单晶Si衬底并吹干，然后将吹干后的单晶Si衬底送入真空腔中加热去氢；加热砷单质使其挥发，让As气流经过单晶Si衬底表面，形成Si‑As键，活化单晶Si衬底表面，然后低温生长一层缓冲层；然后在单晶Si衬底衬底表面生长砷化铟薄膜；随炉冷却至室温后得到砷化铟薄膜材料。本发明所述方法对仪器设备要求低、成本低、易于操作且重复性较好；所得到的砷化铟薄膜的形貌、表面均匀平整，沿(111)取向择优生长，厚度为4.83μm，结晶质量好。
本发明公开一种砷化铟薄膜材料的制备方法及装置，属于半导体制造技术领域。本发明所述方法为超声清洗单面抛光的单晶Si衬底并吹干，然后将吹干后的单晶Si衬底送入真空腔中加热去氢；加热砷单质使其挥发，让As气流经过单晶Si衬底表面，形成Si‑As键，活化单晶Si衬底表面，然后低温生长一层缓冲层；然后在单晶Si衬底衬底表面生长砷化铟薄膜；随炉冷却至室温后得到砷化铟薄膜材料。本发明所述方法对仪器设备要求低、成本低、易于操作且重复性较好；所得到的砷化铟薄膜的形貌、表面均匀平整，沿(111)取向择优生长，厚度为4.83μm，结晶质量好。
