[00280454]一种透明热电模块的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201611164364.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
昆明理工大学
进入空间
所在地：云南昆明市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。
本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。
