[00281110]一种波导集成的硅基单光子探测器
交易价格：
面议
所属行业：
通信
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610129654.3
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
昆明理工大学
进入空间
所在地：云南昆明市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种波导集成的硅基单光子探测器，属于半导体探测技术领域。该探测器包括SiN光波导、光纤‑波导模斑耦合器和P+IP‑IN+结构的硅雪崩二极管，所述光纤‑波导模斑耦合器包括SiO2悬空波导、SiN反锥形波导和SiO2支撑臂，P+IP‑IN+结构的硅雪崩二极管呈叠层状结构，P+IP‑IN+结构的硅雪崩二极管包括从上至下的P型欧姆接触电极、光吸收层、P型掺杂层、倍增区、N型欧姆接触电极、埋氧层和硅衬底，硅衬底顶部端面设有悬空的SiO2悬空波导，SiO2悬空波导输出端面连接SiN反锥形波导，SiN反锥形波导与SiN光波导相连并位于相同平面，SiN光波导另一端连接光吸收层3中的吸收区相连并处于同一平面。本发明使目前量子通信中空间光路在硅基芯片上通过波导结构实现，降低量子通信操作难度。
本发明涉及一种波导集成的硅基单光子探测器，属于半导体探测技术领域。该探测器包括SiN光波导、光纤‑波导模斑耦合器和P+IP‑IN+结构的硅雪崩二极管，所述光纤‑波导模斑耦合器包括SiO2悬空波导、SiN反锥形波导和SiO2支撑臂，P+IP‑IN+结构的硅雪崩二极管呈叠层状结构，P+IP‑IN+结构的硅雪崩二极管包括从上至下的P型欧姆接触电极、光吸收层、P型掺杂层、倍增区、N型欧姆接触电极、埋氧层和硅衬底，硅衬底顶部端面设有悬空的SiO2悬空波导，SiO2悬空波导输出端面连接SiN反锥形波导，SiN反锥形波导与SiN光波导相连并位于相同平面，SiN光波导另一端连接光吸收层3中的吸收区相连并处于同一平面。本发明使目前量子通信中空间光路在硅基芯片上通过波导结构实现，降低量子通信操作难度。
