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[00285191]聚醚醚酮导电薄膜及其导电性能可调控的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 高分子材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201210469695.9

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 吉林大学

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所在地:吉林长春市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

摘要:本发明属于高分子材料技术领域,具体涉及一种具有较高机械强度和较好导电性能的导电填料和聚醚醚酮树脂复合的聚醚醚酮导电薄膜及其导电性能可调控的制备方法。本发明所述的聚醚醚酮导电薄膜,按各组分和100.0wt%计算,由89.0wt%~99.0wt%聚醚醚酮树脂和11.0wt~1.0wt%导电填料(炭黑、碳纳米管、石墨等)组成。制备方法包括树脂在挤出机内的熔融挤出,熔体过滤,熔体进入弓形口膜形成熔体膜片,熔体膜片进入三辊压光机的冷却定型等步骤。通过调整所用树脂的熔融指数,导电填料的含量能够调控聚醚醚酮导电薄膜的导电性能,另外也可通过对制得的聚醚醚酮薄膜进行拉伸,热压等方法来调控其导电性能。
摘要:本发明属于高分子材料技术领域,具体涉及一种具有较高机械强度和较好导电性能的导电填料和聚醚醚酮树脂复合的聚醚醚酮导电薄膜及其导电性能可调控的制备方法。本发明所述的聚醚醚酮导电薄膜,按各组分和100.0wt%计算,由89.0wt%~99.0wt%聚醚醚酮树脂和11.0wt~1.0wt%导电填料(炭黑、碳纳米管、石墨等)组成。制备方法包括树脂在挤出机内的熔融挤出,熔体过滤,熔体进入弓形口膜形成熔体膜片,熔体膜片进入三辊压光机的冷却定型等步骤。通过调整所用树脂的熔融指数,导电填料的含量能够调控聚醚醚酮导电薄膜的导电性能,另外也可通过对制得的聚醚醚酮薄膜进行拉伸,热压等方法来调控其导电性能。

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