[00285239]一种一步合成单层二氧化锰纳米片的方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410542959.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
吉林大学
进入空间
所在地：吉林长春市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：一种一步合成单层二氧化锰纳米片的方法，属于过渡金属氧化物纳米材料的可控合成及形貌控制技术领域。本发明通过高锰酸盐在酸性烷基硫酸盐表面活性剂水溶液中的一步反应，利用烷基硫酸盐表面活性剂水解生成相应的醇原位还原高锰酸盐生成二氧化锰。与直接加入还原剂醇相比，本发明通过表面活性剂逐步水解过程有效的控制了二氧化锰的生成速度同时还用作结构诱导试剂，从而实现一步制备得到单层二氧化锰纳米片。制备的单层二氧化锰纳米片展现了优异的电化学电容性能，并可广泛应用于电池、传感、催化等领域。
摘要：一种一步合成单层二氧化锰纳米片的方法，属于过渡金属氧化物纳米材料的可控合成及形貌控制技术领域。本发明通过高锰酸盐在酸性烷基硫酸盐表面活性剂水溶液中的一步反应，利用烷基硫酸盐表面活性剂水解生成相应的醇原位还原高锰酸盐生成二氧化锰。与直接加入还原剂醇相比，本发明通过表面活性剂逐步水解过程有效的控制了二氧化锰的生成速度同时还用作结构诱导试剂，从而实现一步制备得到单层二氧化锰纳米片。制备的单层二氧化锰纳米片展现了优异的电化学电容性能，并可广泛应用于电池、传感、催化等领域。
