[00285250]一种单分散、小尺寸的二氧化硅纳米粒子的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
无机非金属材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710152040.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
吉林大学
进入空间
所在地：吉林长春市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：一种单分散、小尺寸的二氧化硅纳米粒子的制备方法，属于纳米粒子制备技术领域。其是在醇、水溶剂体系中，加入烷基硅酸酯、一水合氢氧化锂和其它碱性化合物，氢氧化锂与其他碱性化合物的质量用量比为10～650；然后在20～50℃、100～500rpm搅拌条件下，反应1～8小时；反应结束后将反应溶液离心去上清，离心产物先水洗1～2遍，再用与前面所使用的相同醇溶剂洗2～3遍，之后在50～80℃下将产物烘干，从而得到纯净的单分散、小尺寸(3～200nm)的二氧化硅粒子。本发明制备二氧化硅纳米粒子由一步原位生长，不需多步注入硅源或额外引入种子等方法，更无需引入其他杂质(如阳离子、阴离子、中性等各种表面活性剂)，因此，该制备方法更为简单、产物更容易纯化。
摘要：一种单分散、小尺寸的二氧化硅纳米粒子的制备方法，属于纳米粒子制备技术领域。其是在醇、水溶剂体系中，加入烷基硅酸酯、一水合氢氧化锂和其它碱性化合物，氢氧化锂与其他碱性化合物的质量用量比为10～650；然后在20～50℃、100～500rpm搅拌条件下，反应1～8小时；反应结束后将反应溶液离心去上清，离心产物先水洗1～2遍，再用与前面所使用的相同醇溶剂洗2～3遍，之后在50～80℃下将产物烘干，从而得到纯净的单分散、小尺寸(3～200nm)的二氧化硅粒子。本发明制备二氧化硅纳米粒子由一步原位生长，不需多步注入硅源或额外引入种子等方法，更无需引入其他杂质(如阳离子、阴离子、中性等各种表面活性剂)，因此，该制备方法更为简单、产物更容易纯化。
