[00287132]一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
纳米及超细材料
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201210389719.X
交易方式:
技术转让
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技术入股
联系人:
江苏科技大学
进入空间
所在地:江苏镇江市
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-
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对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法,将CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和CH4N2S依次加入有机溶剂中混合,搅拌使之充分溶解,再加入表面活性剂混匀;其中,所述的表面活性剂为KH550硅烷偶联剂、KH570硅烷偶联剂或聚乙烯醇缩丁醛;将混合物转入压力釜中密封,恒温反应12小时,反应结束后自然冷却至室温;将反应后的产物离心、洗涤、干燥后即得。本发明通过采用二元混合溶剂代替了传统单一有机溶剂,并且通过在混合后的反应体系中加入表面活性剂,改善了产物的团聚现象,获得了均匀纳米片状结构、固体相对收率高、光吸收性能较佳、禁带宽度适宜的纳米光伏材料。
本发明公开了一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法,将CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和CH4N2S依次加入有机溶剂中混合,搅拌使之充分溶解,再加入表面活性剂混匀;其中,所述的表面活性剂为KH550硅烷偶联剂、KH570硅烷偶联剂或聚乙烯醇缩丁醛;将混合物转入压力釜中密封,恒温反应12小时,反应结束后自然冷却至室温;将反应后的产物离心、洗涤、干燥后即得。本发明通过采用二元混合溶剂代替了传统单一有机溶剂,并且通过在混合后的反应体系中加入表面活性剂,改善了产物的团聚现象,获得了均匀纳米片状结构、固体相对收率高、光吸收性能较佳、禁带宽度适宜的纳米光伏材料。