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[00287133]一种基于绝缘基底的石墨烯制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 无机非金属材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710283437.4

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 江苏科技大学

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所在地:江苏镇江市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明提供了一种基于绝缘基底的石墨烯制备方法。首先将氧化石墨烯水溶液悬涂到亲水化处理后的绝缘基底上,然后将两片石英片沿着绝缘基底边缘平行放置,中间空隙作为石墨烯生长区域,再将铜箔盖在石英片上方后一并放入到管式炉中。通入高纯氩气、氢气和甲烷,利用氧化石墨烯、铜箔和甲烷分别作为石墨烯生长的种子、催化剂和碳源,在绝缘基底上以氧化石墨烯为中心直接生长出石墨烯。本发明省去化学气相沉积法中聚合物悬涂、金属催化剂刻蚀和聚合物溶解等步骤,简化工艺,减少缺陷产生。同时该方法通过压力及气体流量的调节,可以在绝缘基底上可控生长出不同尺寸和不同形貌的石墨烯,满足不同领域的需求。
本发明提供了一种基于绝缘基底的石墨烯制备方法。首先将氧化石墨烯水溶液悬涂到亲水化处理后的绝缘基底上,然后将两片石英片沿着绝缘基底边缘平行放置,中间空隙作为石墨烯生长区域,再将铜箔盖在石英片上方后一并放入到管式炉中。通入高纯氩气、氢气和甲烷,利用氧化石墨烯、铜箔和甲烷分别作为石墨烯生长的种子、催化剂和碳源,在绝缘基底上以氧化石墨烯为中心直接生长出石墨烯。本发明省去化学气相沉积法中聚合物悬涂、金属催化剂刻蚀和聚合物溶解等步骤,简化工艺,减少缺陷产生。同时该方法通过压力及气体流量的调节,可以在绝缘基底上可控生长出不同尺寸和不同形貌的石墨烯,满足不同领域的需求。

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