[00287396]AlN/Si3N4纳米多层硬质涂层及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
高分子材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200710135578.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
江苏科技大学
进入空间
所在地：江苏镇江市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种涂层及其制备方法。本发明所述的AlN/Si3N4纳米多层膜由AlN和Si3N4形成在金属或陶瓷的基体上，为交替沉积纳米量级的多层结构，各层厚度范围是：AlN层厚度为2.0～12nm，Si3N4层为0.4～12.0nm，总厚度为1.0到5.0微米。制备时，首先将金属或陶瓷基体表面作镜面抛光处理，然后通过在金属或陶瓷的基体上采用纯Al和Si靶进行双靶射频反应溅射方法交替沉积Si3N4层和AlN层，通入高纯的Ar和N2，制取AlN/Si3N4纳米多层膜。AlN/Si3N4多层膜的厚度通过增加多层膜的调制周期数获得。该纳米多层涂层的最大硬度37.8GPa，明显高于其组成材料的。本发明所提供的AlN/Si3N4纳米多层涂层可以获得很高的生产效率。
本发明涉及一种涂层及其制备方法。本发明所述的AlN/Si3N4纳米多层膜由AlN和Si3N4形成在金属或陶瓷的基体上，为交替沉积纳米量级的多层结构，各层厚度范围是：AlN层厚度为2.0～12nm，Si3N4层为0.4～12.0nm，总厚度为1.0到5.0微米。制备时，首先将金属或陶瓷基体表面作镜面抛光处理，然后通过在金属或陶瓷的基体上采用纯Al和Si靶进行双靶射频反应溅射方法交替沉积Si3N4层和AlN层，通入高纯的Ar和N2，制取AlN/Si3N4纳米多层膜。AlN/Si3N4多层膜的厚度通过增加多层膜的调制周期数获得。该纳米多层涂层的最大硬度37.8GPa，明显高于其组成材料的。本发明所提供的AlN/Si3N4纳米多层涂层可以获得很高的生产效率。
