技术详细介绍
一、项目简介 贵金属作为一种理想的等离激元材料，其导电性和导热性良好，但存在化学和物理性质不稳定，在空气中易被氧化，热稳定性差，因而实际应用受到限制。而TiN是一种新型类金属材料，在可见光和长波段具有金属特性，因而作为一种新型的等离激元材料引起了广泛的关注。其光学特性类似于金，介电常数实部为负值，具有载流子浓度大、耐火耐磨、强度大和化学稳定等优势。由于表面能低，易形成致密晶体层。且价格低廉，相较于贵金属更适合于实际应用。本项目发展的一种新型类金属/贵金属复合空心腔阵列芯片技术，涉及基于金属表面等离激元共振增强机理，以及类金属与金属接触的电荷转移机制，可实现操作简单、迅速、稳定的检测功能，在食品、生物、医药、环境监测等领域具有广泛的应用前景 二、技术成熟度 新型类金属/贵金属复合空心腔阵列芯片，采用硅基微纳加工技术进行制备，以阵列模板为衬底，利用磁控溅射技术在阵列模板上沉积Ag薄膜，去除模板后，再沉积一定厚度的TiN形成复合阵列腔结构。所开发的工艺流程和参数稳定，已经实现晶圆级（5寸晶圆以上）的有序制备（覆盖度达90%以上），工艺技术成熟可靠。 三、应用范围 这种类金属/贵金属复合空心腔阵列芯片，可广泛用于食品、化妆品、生物医药、环境监测、以及农牧业等领域。 四、投产条件和预期经济效益 主要原料硅基晶圆、贵金属Ag或者Au、TiN靶材，各种材料用量小，且国内市场供应充足，工艺加工设备均为常用国产设备，投入成本低。生产过程无环境污染，仅使用少量惰性气体，无污染物产生。对于年产值1000万元规模，预计设备投资150万元（不包括厂房、公用工程等）。 五、合作方式 技术转让或联合生产，具体合作方式可商议。