[00289805]半导体石墨烯
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
非专利
技术成熟度：
正在研发
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华侨大学
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
硅集成电路的进入 10 nm 以后，硅微电子技术将受到来自物理，技术和经济 三个方面的限制和挑战。改变沟道材料，由过去的硅改为其它沟道材料，为的都 是增加电子或是空穴的迁移率。
由于石墨烯的高迁移率及单原子层结构特点，石墨烯被认为可能是取代硅材 料的下一代微电子材料。二维结构的石墨烯中低杂质浓度导致电子的高速弹道传 输，从而使之可用于电子的快速回应开关。随着电子器件的小型化，低于 50 nm 的纳米电子器件的要求使石墨烯成为理想的候选材料。但是，值得注意的事，作 为微电子输运材料，我们是靠栅极电压来控制材料的导电性，控制开关功能，而 石墨烯零带隙的特性，使其导电性无法像传统的硅基半导体材料一样因为电压的 变化而有明显变化，因此石墨烯在逻辑电路上的应用仍有些困难。
课题组历时七年潜心研究，采用特定原子原位替代碳原子的方法制备出半导 体石墨烯，并对石墨烯进行了 Raman、STM、NMR、ESR 表征，结果发现石墨 烯中均匀掺入了能够使石墨烯呈现 P 型与 N 型半导体特征的特定元素，成功打 开带隙，并进行了电学性能表征。课题组所制备的半导体石墨烯场效应管的空穴迁移率为 10800 cm2/V·s。在 硅材料中，电子的迁移率为 1350cm2/V·s，而空穴的迁移率仅为 480cm2/V·s。研 发的特殊方法可以得到具有不同半导体类型的石墨烯，进行晶圆级别半导体石墨 烯的量产，利用现有硅芯片产业技术进行石墨烯芯片的制备。下图为课题组所制 备的半导体石墨烯晶圆，可以实现 2 英寸、4 英寸、8 英寸及 12 英寸的半导体石 墨烯的规模化生产。
硅集成电路的进入 10 nm 以后，硅微电子技术将受到来自物理，技术和经济 三个方面的限制和挑战。改变沟道材料，由过去的硅改为其它沟道材料，为的都 是增加电子或是空穴的迁移率。
由于石墨烯的高迁移率及单原子层结构特点，石墨烯被认为可能是取代硅材 料的下一代微电子材料。二维结构的石墨烯中低杂质浓度导致电子的高速弹道传 输，从而使之可用于电子的快速回应开关。随着电子器件的小型化，低于 50 nm 的纳米电子器件的要求使石墨烯成为理想的候选材料。但是，值得注意的事，作 为微电子输运材料，我们是靠栅极电压来控制材料的导电性，控制开关功能，而 石墨烯零带隙的特性，使其导电性无法像传统的硅基半导体材料一样因为电压的 变化而有明显变化，因此石墨烯在逻辑电路上的应用仍有些困难。
课题组历时七年潜心研究，采用特定原子原位替代碳原子的方法制备出半导 体石墨烯，并对石墨烯进行了 Raman、STM、NMR、ESR 表征，结果发现石墨 烯中均匀掺入了能够使石墨烯呈现 P 型与 N 型半导体特征的特定元素，成功打 开带隙，并进行了电学性能表征。课题组所制备的半导体石墨烯场效应管的空穴迁移率为 10800 cm2/V·s。在 硅材料中，电子的迁移率为 1350cm2/V·s，而空穴的迁移率仅为 480cm2/V·s。研 发的特殊方法可以得到具有不同半导体类型的石墨烯，进行晶圆级别半导体石墨 烯的量产，利用现有硅芯片产业技术进行石墨烯芯片的制备。下图为课题组所制 备的半导体石墨烯晶圆，可以实现 2 英寸、4 英寸、8 英寸及 12 英寸的半导体石 墨烯的规模化生产。
