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[00292279]一种中红外非线性光学晶体材料RbIO2F2及其制备方法和应用

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201510071737.7

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 武汉大学

进入空间

所在地:湖北武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料,其化学式为RbIO2F2,上述材料的晶体空间群为Pca21,晶胞参数为a=8.567(4)、b=6.151(3)、c=8.652(4)、α=β=γ=90、Z=4。本发明还提供了上述晶体材料的水热法制备方法,本发明制得的中红外非线性光学晶体材料具有较强的能相位匹配的倍频效应(SHG),Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾(KDP)的4倍;激光损伤阈值至少为700MW/cm2,是目前的商用的中红外非线性光学晶体材AgGaS2的激光损伤阈值的23倍以上;在可见光区和中红外光区有较宽的透过范围,完全透过波段为0.2912微米;不含结晶水,对空气稳定,且热稳定性较好;可利用简单的溶剂挥发法制备单晶材料。
本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料,其化学式为RbIO2F2,上述材料的晶体空间群为Pca21,晶胞参数为a=8.567(4)、b=6.151(3)、c=8.652(4)、α=β=γ=90、Z=4。本发明还提供了上述晶体材料的水热法制备方法,本发明制得的中红外非线性光学晶体材料具有较强的能相位匹配的倍频效应(SHG),Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾(KDP)的4倍;激光损伤阈值至少为700MW/cm2,是目前的商用的中红外非线性光学晶体材AgGaS2的激光损伤阈值的23倍以上;在可见光区和中红外光区有较宽的透过范围,完全透过波段为0.2912微米;不含结晶水,对空气稳定,且热稳定性较好;可利用简单的溶剂挥发法制备单晶材料。

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