[00293505]一种金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110359286.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华南师范大学
进入空间
所在地：广东广州市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
摘要：本发明公开一种金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜的制备方法。所述方法包括如下步骤：按照比例将金属离子掺杂的钇铝石榴石的原料粉末压制成沉积镀膜用的坯体，采用电子束蒸发沉积工艺，电子枪产生电子束聚焦射入坯体，控制电子束自动扫描均匀加热预熔坯体，使坯体初步烧结结晶成瓷，随后加大电子枪功率进一步加热坯体，使其熔融并蒸发沉积在衬底基片上形成薄膜，再将薄膜在真空或保护气氛下进行退火处理，最终制备获得有效结晶的金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜。本方法可实现金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜的高质量、低成本、大面积批量生产，制得的金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜可用作新型的光波导材料、激光工作物质和功能薄膜材料。
摘要：本发明公开一种金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜的制备方法。所述方法包括如下步骤：按照比例将金属离子掺杂的钇铝石榴石的原料粉末压制成沉积镀膜用的坯体，采用电子束蒸发沉积工艺，电子枪产生电子束聚焦射入坯体，控制电子束自动扫描均匀加热预熔坯体，使坯体初步烧结结晶成瓷，随后加大电子枪功率进一步加热坯体，使其熔融并蒸发沉积在衬底基片上形成薄膜，再将薄膜在真空或保护气氛下进行退火处理，最终制备获得有效结晶的金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜。本方法可实现金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜的高质量、低成本、大面积批量生产，制得的金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜可用作新型的光波导材料、激光工作物质和功能薄膜材料。
