[00294981]采用电‑热耦合场加载制备多形态微纳米二氧化锡的方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610930996.5
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
华南理工大学
进入空间
所在地：广东广州市
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资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了采用电‑热耦合场加载制备多形态微纳米二氧化锡的方法。该方法选取纯锡或锡基合金为中间层材料；采用中间层材料将熔点和强度高于锡或锡基合金的两截金属材料导体端面通过钎焊连接方式组装成夹层结构试件；将所述夹层结构试件装夹在可控温加热炉腔室内；将可控温加热炉炉温升至低于中间层材料熔点1～5℃后，对试件通以峰值电流密度不低于1.0×104A/cm2的电流后使夹层结构试件快速断裂，试件中间层部位断裂区域处的锡被氧化成多种形态的二氧化锡。本发明利用电‑热耦合场加载由纯锡或锡基合金中间层连接的导电构件制备二氧化锡，制备过程简单、工艺实施便捷，且耗能低、成本低、无环境污染。
摘要：本发明公开了采用电‑热耦合场加载制备多形态微纳米二氧化锡的方法。该方法选取纯锡或锡基合金为中间层材料；采用中间层材料将熔点和强度高于锡或锡基合金的两截金属材料导体端面通过钎焊连接方式组装成夹层结构试件；将所述夹层结构试件装夹在可控温加热炉腔室内；将可控温加热炉炉温升至低于中间层材料熔点1～5℃后，对试件通以峰值电流密度不低于1.0×104A/cm2的电流后使夹层结构试件快速断裂，试件中间层部位断裂区域处的锡被氧化成多种形态的二氧化锡。本发明利用电‑热耦合场加载由纯锡或锡基合金中间层连接的导电构件制备二氧化锡，制备过程简单、工艺实施便捷，且耗能低、成本低、无环境污染。
