[00295580]一种有机材料阻变存储元件及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510507477.3
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
河北大学
进入空间
所在地：河北保定市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供了一种有机材料阻变存储元件及其制备方法。该存储元件的结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；下电极层为ITO层，阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，上电极层为Ag层或Al层。所述有机材料阻变存储元件的制备方法是：采用溶胶-凝胶法在ITO玻璃的ITO层形成CH3NH3PbI3−xCl3层，之后退火处理，接着采用真空蒸发方法在CH3NH3PbI3−xCl3层上沉积Ag或Al的上电极层，最终形成异质结构层形式为Ag或Al/CH3NH3PbI3−xCl3/ITO的阻变存储元件。本发明所制备的有机材料阻变存储元件性能稳定，具有较好的抗疲劳性以及保持特性。
摘要：本发明提供了一种有机材料阻变存储元件及其制备方法。该存储元件的结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；下电极层为ITO层，阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，上电极层为Ag层或Al层。所述有机材料阻变存储元件的制备方法是：采用溶胶-凝胶法在ITO玻璃的ITO层形成CH3NH3PbI3−xCl3层，之后退火处理，接着采用真空蒸发方法在CH3NH3PbI3−xCl3层上沉积Ag或Al的上电极层，最终形成异质结构层形式为Ag或Al/CH3NH3PbI3−xCl3/ITO的阻变存储元件。本发明所制备的有机材料阻变存储元件性能稳定，具有较好的抗疲劳性以及保持特性。
