[00297016]一种三维高分散纳米层状双氢氧化物的合成方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他新材料技术
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:201510818700.6
交易方式:
技术转让
联系人:
桂林理工大学
进入空间
所在地:广西壮族自治区桂林市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种三维高分散纳米层状双氢氧化物的合成方法。以纳米SiO2为硬模板,通过引入二价、三价混合金属盐溶液和碱液,采用共沉淀法合成了三维高分散纳米层状双氢氧化物。发明使用的纳米SiO2粉体在层状双氢氧化物形成初始阶段作为晶体成核模板,随着反应的进行纳米SiO2模板逐渐转变为硅酸盐,而在反应结束后模板完全消失,最终形成三维高分散纳米层状双氢氧化物。本发明合成过程简单、绿色、产量高、条件温和,无需专门去模板工艺;获得的纳米层状双氢氧化物比表面积高达110.21m2/g,平均孔径为3.77nm,片层薄,是一种三维高分散的纳米材料。
本发明公开了一种三维高分散纳米层状双氢氧化物的合成方法。以纳米SiO2为硬模板,通过引入二价、三价混合金属盐溶液和碱液,采用共沉淀法合成了三维高分散纳米层状双氢氧化物。发明使用的纳米SiO2粉体在层状双氢氧化物形成初始阶段作为晶体成核模板,随着反应的进行纳米SiO2模板逐渐转变为硅酸盐,而在反应结束后模板完全消失,最终形成三维高分散纳米层状双氢氧化物。本发明合成过程简单、绿色、产量高、条件温和,无需专门去模板工艺;获得的纳米层状双氢氧化物比表面积高达110.21m2/g,平均孔径为3.77nm,片层薄,是一种三维高分散的纳米材料。