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[00297265]Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201110301649.3

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 河北工业大学

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所在地:天津天津市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法,涉及含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体,所说的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的元素组成式为SmxCoyFezZruBvQw,式中限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足:x+y+z+u+v+w=100,x=9.0~14.0,y=45.0~70.5,z=2.8~18.4,u=1.1~7.0,v=3.8~19.0,w=1.0~21.2,Q是由Nb、Al、Si、Cu和C中的1~4种元素组成,采用离心快淬甩带技术制备,由此制得的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体具有高的室温内禀矫顽力、高耐腐蚀性和高强度的优点。

摘要:本发明Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法,涉及含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体,所说的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的元素组成式为SmxCoyFezZruBvQw,式中限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足:x+y+z+u+v+w=100,x=9.0~14.0,y=45.0~70.5,z=2.8~18.4,u=1.1~7.0,v=3.8~19.0,w=1.0~21.2,Q是由Nb、Al、Si、Cu和C中的1~4种元素组成,采用离心快淬甩带技术制备,由此制得的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体具有高的室温内禀矫顽力、高耐腐蚀性和高强度的优点。

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