[00298488]一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
无机非金属材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510965170.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华北电力大学
进入空间
所在地：北京北京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了属于稀磁半导体材料制备技术领域的一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法。该稀磁半导体材料的化学式为CuS1-xTxTe2；其中，S为Ga或In，T为Co、Mn、或Fe，x＝0-0.4。根据CuS1-xTxTe2的化学计量比配置Cu、S、T、Te四种单质元素；将Cu、S、T熔炼成Cu-S-T前驱合金后与Te混合研磨成粉并压制成片，对其热处理后冷却，然后真空研磨成粉并烘干后得到粗品，经抽滤后得到该稀磁半导体材料。制成稀磁半导体材料更好地控制了非挥发性元素与挥发性元素之间的化学比例，并通过控制热处理时的温度，获得了杂相较少、成分均匀且具有室温铁磁性的黄铜矿结构的稀磁半导体材料。
摘要：本发明公开了属于稀磁半导体材料制备技术领域的一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法。该稀磁半导体材料的化学式为CuS1-xTxTe2；其中，S为Ga或In，T为Co、Mn、或Fe，x＝0-0.4。根据CuS1-xTxTe2的化学计量比配置Cu、S、T、Te四种单质元素；将Cu、S、T熔炼成Cu-S-T前驱合金后与Te混合研磨成粉并压制成片，对其热处理后冷却，然后真空研磨成粉并烘干后得到粗品，经抽滤后得到该稀磁半导体材料。制成稀磁半导体材料更好地控制了非挥发性元素与挥发性元素之间的化学比例，并通过控制热处理时的温度，获得了杂相较少、成分均匀且具有室温铁磁性的黄铜矿结构的稀磁半导体材料。
