[00298851]一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510360577.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华东师范大学
进入空间
所在地：上海上海市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器，采用差分NMOS交叉耦合结构实现，与PMOS交叉耦合结构相比，贡献的寄生电容较小，因而能够获得更高的振荡频率。此外，压控振荡器中的差分电感采用U形传输线差分电感，具有较小的感值，可以进一步提高振荡频率。本发明的振荡电路，其调谐范围为70.97-76.76GHz，在中心频率73.86GHz下，1MHz和10MHz频偏处相位噪声分别为-89.47dBc/Hz和-116.2dBc/Hz，功耗为10.8毫瓦。可作为E-band无线通信系统的本振信号源，也可作为频率综合器中的压控振荡器使用。
摘要：本发明公开了一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器，采用差分NMOS交叉耦合结构实现，与PMOS交叉耦合结构相比，贡献的寄生电容较小，因而能够获得更高的振荡频率。此外，压控振荡器中的差分电感采用U形传输线差分电感，具有较小的感值，可以进一步提高振荡频率。本发明的振荡电路，其调谐范围为70.97-76.76GHz，在中心频率73.86GHz下，1MHz和10MHz频偏处相位噪声分别为-89.47dBc/Hz和-116.2dBc/Hz，功耗为10.8毫瓦。可作为E-band无线通信系统的本振信号源，也可作为频率综合器中的压控振荡器使用。
