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[00301339]一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710316026.0

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 哈尔滨工业大学

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所在地:黑龙江哈尔滨市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

                           摘要:一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明涉及一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明的目的是为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。方法一、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料的制备;二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料及热挤压模具的预热;三、半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料。本发明在固相线以上、液相线以下对SiC纳米线增强铝基复合材料进行热挤压处理。铝基体的晶粒边界发生熔化,铝基体处于固‑液混合状态,对SiC纳米线约束力小。SiC纳米线可以实现低损伤的定向排列。                        

                           摘要:一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明涉及一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明的目的是为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。方法一、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料的制备;二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料及热挤压模具的预热;三、半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料。本发明在固相线以上、液相线以下对SiC纳米线增强铝基复合材料进行热挤压处理。铝基体的晶粒边界发生熔化,铝基体处于固‑液混合状态,对SiC纳米线约束力小。SiC纳米线可以实现低损伤的定向排列。                        

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