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[00303708]一种铟镓锌氧化物粉体及其陶瓷靶材的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310120479.8

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 桂林电子科技大学

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所在地:广西壮族自治区桂林市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明提供一种铟镓锌氧化物粉体及其陶瓷靶材的制备方法,包括铟、镓、锌和氧,所述铟镓锌氧化物材料由组成式x(In2O3)-y(Ga2O3)-z(ZnO)表示,式中0.5

其特征在于,将铟、镓、锌的原料配制成澄清的水溶液,再加入沉淀剂产生沉淀物,经过洗涤、过滤及干燥后,接着煅烧,制成单分散的纳米级IGZO粉体。

用合成的IGZO粉体作为制备陶瓷靶材的原料,加入粘接剂进行造粒,模压成型或冷等静压强化获得素坯,将素坯放入高温炉进行脱脂处理,脱脂后的素坯在高温进行烧结。

藉由上述步骤,即可获得高密度、低电阻率的IGZO陶瓷靶材,可抑制异常放电和靶材表面节瘤的形成。

本发明提供一种铟镓锌氧化物粉体及其陶瓷靶材的制备方法,包括铟、镓、锌和氧,所述铟镓锌氧化物材料由组成式x(In2O3)-y(Ga2O3)-z(ZnO)表示,式中0.5

其特征在于,将铟、镓、锌的原料配制成澄清的水溶液,再加入沉淀剂产生沉淀物,经过洗涤、过滤及干燥后,接着煅烧,制成单分散的纳米级IGZO粉体。

用合成的IGZO粉体作为制备陶瓷靶材的原料,加入粘接剂进行造粒,模压成型或冷等静压强化获得素坯,将素坯放入高温炉进行脱脂处理,脱脂后的素坯在高温进行烧结。

藉由上述步骤,即可获得高密度、低电阻率的IGZO陶瓷靶材,可抑制异常放电和靶材表面节瘤的形成。

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