技术详细介绍
成果与项目的背景及主要用途： Cr-Si中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性 好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来 说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻 温度系数(Temperature Coefficient of Resistance, TCR)等性能。电阻温度系数 (TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的TCR在温度变化时 会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜 电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低TCR(M25ppm/°C )要求。 技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示: 所制备的靶材(382 mm *128 mm *14 mm)在溅射成电阻器薄膜后，电阻温度 系数小(<25 X10-6 / °C),电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧，刻槽后数量级为 兆欧)且稳定(随时间变化小)，因此，在本靶材研究中，将选择Cr、Si作为高阻 靶材的主体材料。由于C r、Si熔点高，原子移动性低，因此由其所组成的薄膜 稳定性高。通过在金属C r中引入半导体材料Si来提高电阻器合金膜的阻值。 C r是很好的吸收气体的金属元素，在电阻器薄膜溅射过程中，可通过通入微量 的氧来提高薄膜的电阻率，同时调节电阻温度系数。 技术指标如下： 温度冲击实验后AR/R <±0 .5 %,过载实验后AR/R <±0 .5 %,寿命实验后 AR/R <±1 .0 %，电阻温度系数 TCR <±20 X10-6 / C。 应用领域： 集成电路、电子元器件 合作方式及条件：具体面议