[00814654]高度择优取向氧化铟锡薄膜的制备及红外隐身性能研究

红外隐身是以降低目标表面红外辐射特征为目的，通过调整目标的材料、结构等控制其表面的红外辐射性质，以期达到与背景红外辐射相似或接近，使红外成像探测无法识别目标体的一种技术。红外探测器的工作波段主要位于中波波段(3～5μm)和长波波段(8～14μm)内，红外探测器对点源目标的探测距离与目标红外辐射强度的平方根值成正比关系，如果目标的红外辐射强度下降10dB(90％)，则探测器作用距离下降68％，因此以降低装备红外发射信号和削弱敌方红外探测效能的隐身技术，成为各国研究的重点和热点。 以高度择优取向ITO薄膜的粉末靶材射频溅射制备工艺、微观结构、电学性能与红外隐身性能之间的内在关系为主要研究内容，通过对高度择优取向ITO薄膜的粉末靶材射频溅射制备工艺、微观结构、电学性能与红外隐身性能之间的内在关系的研究，基本理清影响粉末靶材射频磁控溅射制备(400)高度择优取向的ITO薄膜的工艺参数，解决了(400)晶面高度择优取向薄膜的制备关键技术问题，进一步优化了ITO薄膜光电性能之间的相互干涉问题，获得了在中红外区红外反射率达到0.85，可光见透过率大于85％的ITO薄膜制备，初步探讨和剖析了薄膜微观结构和电导率、载流子浓度、霍尔迁移率等电性能与ITO薄膜红外隐身性能之间的相互影响规律，实现了具有高红外反射率ITO薄膜的制备，并采用飞秒激光刻蚀对ITO薄膜开展了图案化的实验研究，为ITO薄膜在红外隐身以及新型电极材料领域的应用提供了基础和新的思路。 该项目执行期间获授权发明专利1件，申请发明专利2件，发表相关论文6篇，到电子科技大学、广东风华高新科技股份有限公司等单位开展技术交流合作，达到项目研究预期目标。