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SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及制作方法
技术简介: 本发明公开了一种SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延…… 查看详细 >
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