[01342995]SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、p-AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层、p型GaN冒层,以及在p型GaN冒层设有的窗口区（A）。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至电子势垒层p-AlGaN,形成了圆柱状的出射光窗口,改变了出射光的路径,大大减少了光在传播过程中的损耗。 本发明具有光的出射效率高,工艺简单,成本低,重复性好,可靠性高的优点,可用于水处理,医疗、生物医学场合以及白光照明中等不同领域。