技术简介： 摘要：本发明公开了一种掺铬硼酸铝钪镧可调谐激光晶体及其制备方法。晶体分子式为Cr3+:LaSc3-xAlx(BO3)4，其中x的取值范围为：0.5～1.5，Cr3+的掺杂浓度为：0.2-5mol.%，可采用提拉法和顶部籽晶…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种掺镱硼酸镧镁（Yb3+:LaMgB5O10）激光晶体及其生长方法。该晶体属于单斜晶系，P21/c空间群，晶胞参数：β=131.52°,Z=4，Dc=3.92g/cm3。该晶体可采用助熔剂法生长，以Li2O-B2…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种共掺Nd3+敏化离子的Er3+激活的镓酸钆锶晶体中红外波段超快激光晶体材料，化学式为Nd3+,Er3+:SrGdGa3O7，其中Er3+的掺杂浓度30～50at％，Nd3+的掺杂浓度5～10at％。该晶体中…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法。将预先获得的α-Fe2O3纳米晶体分散在Sn(OH)62-的乙醇溶液中，通过溶剂热反应在α-Fe2O3纳米晶上异质生长纳米SnO2，形成半导…… 查看详细 >
技术简介：
摘要：本发明属于光电子功能材料技术领域，特别是涉及作为激光和飞秒激光材料，它提供了一种复合石榴石化合物掺镱硅铝酸钇镁，化学式为YbxY3-x-yMgyAl5-ySiyO12，Yb掺杂含量为0
技术简介： 摘要：本发明公开了一种利用NO选择氧化脱除CO原料气中氢气杂质的方法，该方法利用NO完全或部分替代O2作为氧化剂，通过选择氧化反应脱除CO原料气中的H2杂质。该技术方法包括两段脱氢流程，分别由…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种石墨烯膜及其制备方法和应用，所述方法包括以下步骤(1)将氧化石墨烯、导电纳米颗粒分散在水和有机溶剂混合溶剂中，制备氧化石墨烯分散液；(2)将氧化石墨烯分散液浓缩、冷冻…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种锂离子电池锰钴锂氧化物正极材料及其制备方法。该正极材料的化学式可表示为：Li(3+x)/3Mn2x/3Co1-xO2，其中0.1≤x≤0.9。该正极材料具有高比容量和高低温适用等优异的电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及利用火法冶金与湿法冶金连用技术提纯硅材料的方法。火法冶金的过程中进行湿法冶金，无需对工业硅进行破碎。本发明省去传统工艺中的凝固、破碎、粉碎、酸洗等多重步骤、可以一次…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为α＝90°，β＝90°…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种新型红外非线性光学晶体硫铟铋钡，涉及光电材料领域。硫铟铋钡，其化学式为Ba2BiInS5，分子量758.78，属正交晶系，空间群Cmc21，单胞参数为alpha＝90.00°，beta＝90.00°，gamma＝90.0…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种可调谐激光晶体掺铬钼酸镁钠及其制备方法。采用熔盐顶部籽晶法，以55～80at.%的Na2Mo2O7作为助熔剂，生长参数为：降温速率0.5～3℃/天,生长温度800～880℃，转速5～30转/…… 查看详细 >